随着白光LED的发展，它的应用越来越广。从前，白光LED最常见的应用是作为小尺寸LCD彩屏的背光。现在白光LED的亮度加大，它的应用已普及到其它方面，例如手电筒或手机照相辅助照明。本文介绍一种利用普通的升压芯片来驱动大电流LED的高效电路。

  一般白光LED的电流在20mA 左右，但高亮度的LED需要200~300mA 电流。如果产品需要用三至四颗高亮度的白光LED，为了亮度平均，一般的做法都是把它们串连接在一起。市场上绝大部分的白光LED驱动芯片都只能驱动20mA左右。碰上串联大电流LED的应用便要另想办法。 Intersil 的EL7516是一颗典型的升压芯片，此芯片工作于1.2MHz 定频PWM模式，内置1.5A,200mΩ MOSFET。 图1示出EL7516的典型应用电路。通过DC-DC升压作用，EL7516将2.7~5.5V输入转化成12V的恒定电压。跟一般PWM控制芯片一样，FB引脚是接到与1.3V比较的误差放大器。通过选定R1, R2的电阻值来设置输出电压。

  将EL7516的恒压电路改成驱动LED的恒流电路是格外的简单的。如图2所示，只要将在FB端的R1换成LED，改变R2就能调节通过LED的电流。可从下式选定R2值：R2=VFB/Iled其中VFB是FB引脚的电压，即1.3V；Iled是通过LED的电流。

  关于图3的电路，最大的缺点在于R2的损耗。R2通过300mA时，电阻的功耗接近0.39W。这样大的功耗不但影响效率，也须要用体积比较大的电阻，才能接受0.39W的热量。一般来说，这些应用都是电池供电的，效率及线路PCB空间要求都比较严格，现在让我们一起看看怎样提高此线及D1。无论电路怎样改动，EL7516都会调节占空比使到FB的电压维持1.3V。假设D1的正向导通压降是0.6V，R2的压降便约0.7V。要保持300mA LED电流，R2可选用2.3Ω。而R2的功耗亦从原来的0.39W降至0.21W。虽然功耗已降低，但R2也得用半瓦电阻来实现这种电路。

  图4 改善线示出了进一步的改善方法。一个廉价的TL431加进电路里作为2.5V的基准源。如前所述，EL7516会保持FB在1.3V；所以通过R4的电流是: (2.5-1.3)/20k=60mA。 因FB是一高阻抗引脚，我们假设这60mA全数流入R5而做成同样1.2V压降。剩下的0.1V，会由R2来完成。为了方便购买，我们把R2选定为0.39Ω。所以通过LED的电流约为: 0.1/0.39 = 255mA。R2的功耗亦大幅度降低至: 0.1×0.255 = 26mW。

  从以上实验能见到，只要在电路上稍作改动，可大幅度的提升高电流LED的工作效率。实验中，我们用5V输入。实际的应用很可能是单个锂电池供电。EL7516最低工作电压为2.3V，所以适用于单个锂电池供电。但EL7516内置MOSFET有峰值电流(1.3A min)保护，如锂电池电压掉到3V以下，驱动四颗LED有可能触发电流保护。如须要在3V以下工作，最好把输出减少为三颗LED。

  刚开幕的广州车展，又到了芯片厂商与车企距离最近的时刻。 在整车厂场馆中，供应商并不常见，但地平线却出现在了整车厂场馆中。 这恰与地平线和车企的关系一样接近：地平线在北京五环，理想汽车总部在六环以外，余凯曾经对李想说过，在地表上，地平线是离理想最近的芯片公司。类似地，这句话对于在广州的广汽或深圳的比亚迪仍然成立。 这不仅是距离的接近，更是地平线在智能驾驶计算方案市场中与车企的接近。 从 ADAS 到高阶辅助驾驶的进击中，地平线，在高速 NOA 进阶至城市 NOA 的升维中，地平线再一次贴近车企需求，释放出一颗芯片即能实现城市 NOA 的计算方案。 在地平线展台上，微缩了中国车企的

  诞生了 /

  法规和标准尚待完善，民众对安全问题关注不够，企业对生产所带来的成本严控，安全意识相对淡薄，智能家居安全还比较弱，但并不阻碍安全成为炙手可热的话题。安全需求包括合法用户访问、鉴别用户身份的真实性、数据完整性、隐私不泄露、数据传输的安全、控制授权等。目前在产业链上游主要是安全物联模块以及安全的平台接入能力，这些最终将决定下游产品硬件的安全性。无论采用软加密还是硬加密，用户只关心到底是否安全。对公司来说，安全问题就是品质问题，在产品的研发阶段就应该将物联网产品的安全性纳入产品考核。 艾矽科技 安全加密芯片-GIANT-I GIANT I是艾矽科技推出的全球首款以PUF为核心的加密芯片，集成了VIA PUF技术，也是目前安全级

  根据台湾产业链上游消息来源表示，目前，全球28nm芯片代工开始呈现三国大战走势。 其中，TMSC台积电是28nm产品代工大户，每月代工10万颗28nm芯片。目前，台积电28nm产品代工客户有高通、NVIDIA、AMD、联发科等芯片设计厂商。台积电今年年初到7月份，28nm生产线都开足马力运行，但是进入8月，市场对高端智能手机需求下滑，导致台积电28nm生产线%左右。 而GlobalFoundries从下半年开始大幅度提升28nm产品良率，因此陆续获得高通和联发科垂青，成为28nm芯片第二大代工厂商。分析师估计，目前，GlobalFoundries月产2万到3万颗28nm芯片。另外，GlobalFoundrie

  根据此前官方透露的消息，高通将于12月1日举行2020高通骁龙技术峰会，届时明年主流旗舰首选的全新5nm骁龙875旗舰平台将正式亮相。不过它并不会是唯一的王者，不出意外的话，三星也将于同期推出自家的全新5nm旗舰芯片——Exynos 1080。现在有一手消息，近日三星Exynos官微已开始正式为其进行预热。 根据三星Exynos官方微博最新发布了主题为“激发创新进取 剑指2030”的视频，此次座谈会由三星电子系统LSI事业部携旗下移动芯片品牌三星Exynos发起。视频中三星半导体中国研究所所长潘学宝宣布，三星下半年将会发布拥有旗舰级性能的Exynos 1080芯片。毋庸置疑，该芯片自然就由明年初的全新三星Galaxy

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  随着汽车、太空、医学与工业等产业开始采用复杂晶片，加上电路板或系统单晶片(SoC)为符合市场需求而加入更多功能，让晶片热效应已成为半导体与系统模块设计时的一大问题。 据Semiconductor Engineering报导，DfR Solutions资深工程师指出，随着晶片与电路板越来越小，让热问题显得更为严重。Ansys副总则指出，热会带来一堆无法预知的变化，让业者必须从晶片封装或系统层次评估热冲击的程度，FinFET制程中必须处理局部过热问题，而且进入10或7奈米后程度更严重。 早在2001年，时任英特尔(Intel)技术长的Pat Gelsinger便曾预测未来10年内，晶片上能源密度提高是必须设法解决的问题。在

  根据半导体产业协会(Semiconductor Industry Association)的统计，去年12月份全球芯片销售额较上年同期下降5.2%，去年全年销售额略低于2014年的历史顶配水平。 芯片销售额2014年创下历史最高纪录，主要受到稀缺内存芯片价格持续上涨的推动，而这样的情况2015年发生了逆转。 去年12月份全球芯片销售额达到276亿美元，较11月份下降4.4%，2015年全年全球芯片销售额较2014年下降0.2%，至3,352亿美元。 从地区来看，中国是去年唯一芯片销售额增长的地区，增长7.7%。同时，美洲地区销售额下降0.8%，欧洲下降8.5%，日本下降11%，亚太/所有其它地区下降0.2%。 从销

  2013年8月21日，北京讯——全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技（Marvell，Nasdaq: MRVL）今日宣布，全球领先的手机制造商宇龙酷派发布全新TD- SCDMA以及WCDMA制式的安卓智能手机，惠及中国移动和中国联通十亿多用户，这些手机均采用了Marvell® ARMADA® 移动统一四核单芯片解决方案。全新的宇龙酷派智能手机包含5.5英寸全高清中高端明星产品酷派炫影SII 8750，经济实惠的5英寸高清的酷派炫影S+以及4.5英寸普及型智能手机酷派7269，基于Marvell ARMADA移动统一3G及LTE平台，内置 ARMADA Mobile PXA1088四核单芯片解决方案，均可提供高性价比与高

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